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技術・製品紹介
GMRおよびTMR型HDD磁気ヘッド関連設備
5Tesla 磁場中真空熱処理炉
製品概要
超伝導磁石により5Teslaの磁場を印加して、真空中もしくは不活性ガス雰囲気の石英製炉芯管内内にて、8インチまでのAITiC基板上に形成されたGMRおよびTMR薄膜の熱処理を行うための炉です。
製品の特長
  • 5Tesla超伝導磁石による磁場印加
    磁場強度 5Tesla +/-3%
    スキュー角 +/- 1.0º以内
  • 最大 25 枚処理
  • 石英炉芯管を使用
  • 常用温度:150ºC〜400ºC(最大500ºC)
  • 横型3ゾーン炉での高温度均一性
    ウェハー面内 +/- 2.0ºC以内
    25 枚ウエハー間 +/- 2.0ºC以内
  • 昇温速度:0〜5ºC/分
  • 降温速度:300ºCから80ºCまで真空中で3時間以下
  • 高真空:7x10-5 Pa以下
  • 基板サイズ:最大8インチ
    クリンエアフローによる高クリーン対応
  • SEMI S2,S8等に準拠した安全対応
  • SECS/GEM準拠のネットワーク対応
R&D用 5Tesla磁場中真空熱処理炉
製品概要
小型の超伝導磁石を使って5Tまでの磁場中において、磁性材料や磁気デバイスを磁場中アニールする開発用磁場中アニール装置。
製品の特長
  • サンプル処理サイズ 2-6インチ径
  • 処理温度 常用 200〜550ºC、最大600ºC
  • 温度均一性 +/- 2ºC以内
  • 磁場印加方向 基板面内または垂直方向
  • 真空(1×10-3Paレベル)または不活性ガス雰囲気
  • 超伝導磁石による磁場
    磁場強度 5Tesla+/-3%
    スキュー角 +/-1.5deg
回転磁場中真空熱処理炉
製品概要
真空中もしくは不活性ガス雰囲気の石英製炉芯管内で磁場をかけながらAITiC基板上に形成されたMR,GMR,TMR薄膜の熱処理を行うための炉です。
製品の特長
  • 3ゾーンヒーターを有する縦型炉
  • 石英炉芯管を使用・常用温度:150ºC〜400ºC(最大500ºC)
  • 昇温速度:0〜5ºC/分
  • 降温速度:300ºCから80ºCまで真空中で5時間以下
    冷却ガスとして窒素、アルゴン使用により2.5〜3時間以下
  • 3:3カスケード温度制御
    温度均一性±0.5ºC以下(全基板中心)
    ±2.0ºC以下(全基板、各基板上5点)
    ±0.5ºC以下(温度安定性)
  • 高真空:7x10-5 Pa以下
  • 不活性ガス雰囲気:酸素濃度2ppm以下
  • 量産性:最大40枚同時処理可能
  • 基板サイズ:最大8インチ
  • 強磁場対応可能:1.5Tまでは常伝導電磁石にて対応可能
    1.0T以上では超伝導電磁石にて対応
高温GMR測定設備
製品概要
真空熱処理中にスピンバルブ薄膜のGMR特性を4端子測定可能なシステムです。
製品の特長
  • 同時に3枚の基板測定が可能
  • 温度は室温から最大400ºCまで測定可能 特殊な線材を使用することで最大600ºCまで可能
  • マイナーループ測定は±0⇔±200Oe(Max)
  • メジャーループ測定は±電磁石最大磁場まで可能
  • 全自動でEasy Axis、Hard Axisを求める
レジストハードベーク炉
製品概要
MR,GMR,TMR磁気ヘッド製造過程で磁場中においてレジストハードベークする装置。
製品の特長
  • 真空中もしくは雰囲気下でのベーキングが可能
  • 石英炉芯管を使用することで清浄な環境が得られる。
  • 定期的な炉芯管内洗浄が可能であって、清浄な雰囲気が常時得られる。
着磁装置
製品概要
電磁石による磁場でHGAを着磁処理する装置。
ガラス線引炉
製品概要
  • ガラス原料の溶解撹拌から溶解炉及び線引き補助炉の最適温度条件設定まで全自動操作が可能
  • 溶解したガラスは、補助炉内で最適粘度を有するプリフォームを形成し下部のローラーで線引きされる。
  • レーザー測定器により線経を測定し、フィードバックをかけることで線引きローラーの 回転速度を制御し、設定した線経の±10%以内の精度で連続的に線引きが可能です。

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